直流高壓發(fā)生器是電力試驗中常用設備之一，廣泛應用與電力電纜、避雷器等泄漏電流試驗，本文基于開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的直流高壓發(fā)生器輸出電壓為120kV、輸出電流為5mA、工作頻率為40kHz。因輸出電壓較高，設計中有一些特殊問(wèn)題，現討論其中的4大關(guān)鍵之處。

一、系統方案設計

  現有的基于開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的直流高壓發(fā)生器一般都工作在20kHz，在該設計中用40kHz的工作頻率，開(kāi)關(guān)器采用MOSFET（金屬氧化物半導體現場(chǎng)效應晶體管）。因工作頻率提高，設備中用的高頻變壓器的體積和重量都進(jìn)一步減小，整個(gè)裝置的體積和重量也相應減小，現場(chǎng)使用更方便，工作頻率的提高使輸出電壓紋波系數也進(jìn)一步減小。

   輸入為交流220V，經(jīng)交流-直流-交流-直流4個(gè)環(huán)節得到直流負高壓。交流220V先經(jīng)EMI（電磁干擾）濾波環(huán)節，EMI濾波網(wǎng)絡(luò )可防高頻電路產(chǎn)生的大量高次諧波進(jìn)入電網(wǎng)，也可組織電網(wǎng)諧波進(jìn)入整流電路；接下來(lái)進(jìn)入PFC（功率因數校正）模塊，PFC模塊英語(yǔ)提高本裝置的功率因數；工頻整流模塊用全橋整流方式，將交流220V整流為約300V直流，此電壓歲隨電網(wǎng)電壓的波動(dòng)而變化；通過(guò)改變半橋電路部分MOSFET的占空比實(shí)現電壓調節，將工頻整流的300V變換成穩定的大值為160V的直流電壓；全橋逆變部分負責將此穩定的直流電壓逆變成40kHz的交流方波電壓初步升壓；變比為1:60的脈沖升壓變壓器負責將方波電壓初步升壓；后經(jīng)8級倍壓電路升壓得到120kV穩定直流高壓。

二、驅動(dòng)電路設計

   一般的開(kāi)關(guān)電源設計都是采用的電源芯片，這些芯片本身驅動(dòng)能力夠大，或直接驅動(dòng)MOS-FET，或通過(guò)脈沖變壓器驅動(dòng)，一般都可滿(mǎn)足驅動(dòng)要求。

三、開(kāi)關(guān)管緩沖電路設計

   板橋穩壓和全橋逆變生涯部分都是帶有高頻變壓器的變換器，高頻變壓器都存在漏感，本事開(kāi)關(guān)器件選用的是MOSFET，其關(guān)斷期間的電流下降速度很快，開(kāi)關(guān)管漏源極間的電壓開(kāi)始顯著(zhù)上升之前，其電流已降到零。

四、升壓變壓器設計

     升壓變壓器變比設計為1:60，副邊匝數為2600匝，多匝細小的導線(xiàn)繞在磁芯骨架上，相鄰導線(xiàn)間的間隙非常狹小，產(chǎn)生寄生電容，如將其等效的集中到繞組的兩端來(lái)考慮，其容量值將達到幾千pF，寄生電容C的兩端加上高頻交流電壓時(shí)，每個(gè)周期都有電流流過(guò)。